Ce que la publication mesure réellement
GAAFET 2D Bi₂O₂Se / Bi₂SeO₅ — longueur de grille 30 nm
MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE
PENTE SOUS LE SEUIL
TENSION DE FONCTIONNEMENT
280 cm²·V⁻¹·s⁻¹
62 mV/dec
0,5 V
mesurée sur le canal intégré
limite théorique idéale : 60 mV/dec à 300 K
contre 0,7 à 0,8 V pour un nœud silicium avancé
COURANT À L'ÉTAT PASSANT
DÉLAI INTRINSÈQUE
PRODUIT ÉNERGIE-DÉLAI
> 1 mA/µm
1,9 ps
1,84 × 10⁻²⁷ J·s/µm
Source : Tang, Jiang, Gao et al., « Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration »,
Nature Materials, 2025. Correspondance : Hailin Peng et Lian-Mao Peng, Université de Pékin.
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